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전방일치
완전일치
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검색어
[전방일치/ 기사저자명:Itsumi M.]
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10
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10
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1/1
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검색결과제한
자료유형
기사
(10)
저자
Itsumi, M
(8)
Akiya, H
(1)
Ueki, T
(1)
출판사
Electrochemical Society
(6)
American Institute of Physics
(4)
발행년도
1980
(10)
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기사제목
기사저자명
출판사
발행년
정렬
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내림차순
5
10
15
20
30
50
100
1.
기사제목
Barrier Height Lowering and Instability of Gate Oxides Due to Dilute Hydrofluoric Acid Pretreatment
기사저자명
Akiya, H
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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2.
기사제목
Octahedral void defects observed in the bulk of Czochralski silicon
기사저자명
Ueki, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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3.
기사제목
Passivation of Sodium Ions in Metal Oxide Semiconductor Structures by Annealing with Ultraviolet Light
기사저자명
Itsumi, M
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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4.
기사제목
Copper Decoration Followed by TEM Observation Identifying Defects in theBuried Oxides of SOI Substrates
기사저자명
Itsumi, M
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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5.
기사제목
Generation of Si-SiO~2 Interface States at Surface Potentials near 0.4 and 0.7 eV
기사저자명
Itsumi, M
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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6.
기사제목
Current increase in thin gate-oxide (3.5-7.0 nm) metal-oxide silicon structures with the boron-doped polycrystalline-silicon gates biased negatively
기사저자명
Itsumi, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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7.
기사제목
Characterization of metallic impurities in Si using a recombination-lifetime correlation method
기사저자명
Itsumi, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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8.
기사제목
On-Chip Decoupling Capacitance with High Dielectric Constant and Strength Using SrTiO~3 Thin Films Electron-Cyclotron-Resonance-Sputtered at 400�
기사저자명
Itsumi, M
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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9.
기사제목
Observation of Defects in Thermal Oxides of Polysilicon by Transmission Electron Microscopy Using Copper Decoration
기사저자명
Itsumi, M
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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10.
기사제목
Impurity dependence of oxide defects in Czochralski silicon
기사저자명
Itsumi, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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