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검색어[전방일치/ 출판사:James Science Publishers]
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1.
기사제목
Using Green's functions to improve conjugate gradient convergence for the semiconductor equations 미리보기
기사저자명
Chandler, S.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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2.
기사제목
The use of realistic bandstructure in impact ionisation calculations for wide bandgap semiconductors: application to InP and GaAs 미리보기
기사저자명
Wilson, S. P.;Brand, S.;Beattie, A. R.;Abram, R. A.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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3.
기사제목
Simulation of the electrical behaviour of GaAs MESFETS with doping and low-field mobility profiles in the active layer 미리보기
기사저자명
Schwierz, F.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
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4.
기사제목
A theoretical study of surface kinetic processes in the MBE growth of GaAs (100) 미리보기
기사저자명
Venkatasubramanian, R.;Bendi, S.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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5.
기사제목
Lateral gate bias effects in resistive gate NMOS transistors 미리보기
기사저자명
Schieke, P.;Du Plessis, M.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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6.
기사제목
Speeding-up of convergence of Gummel iterations for transient simulation 미리보기
기사저자명
Obrecht, M.;Elmasry, M.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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7.
기사제목
Module level performance simulator for electrical and optical interconnects 미리보기
기사저자명
Guan, L.;Pusarla, C.;Halkias, G.;Christou, A.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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8.
기사제목
Evanescent modes and scattering effects on resonant tunneling in zero dimensional nanostructures: a scattering matrix approach 미리보기
기사저자명
Lee, C.;Weichold, M.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
자료유형
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9.
기사제목
A study of the influence of hydrodynamic model effects on characteristics of silicon bipolar transistors 미리보기
기사저자명
Sadovnikov, A. D.;Roulston, D. J.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
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10.
기사제목
Investigations of a new impact ionization model for submicron devices 미리보기
기사저자명
Souissi, K.;Tang, H. H. K.
출판사
James Science Publishers
발행년
1993
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