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검색어[전방일치/ 기사저자명:Janson M S]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Hydrogen diffusion, complex formation, and dissociation in acceptor-doped silicon carbide (12 pages)/
기사저자명: Janson, M S
출판사: Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: The 3838 A photoluminescence line in 4H-SiC/
기사저자명: Henry, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Effect of crystal orientation on the implant profile of 60 keV Al into 4H-SiC crystals/
기사저자명: Wong-Leung, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Ion implantation range distributions in silicon carbide/
기사저자명: Janson, M. S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Dislocation loop evolution in ion implanted 4H-SiC/
기사저자명: Persson, P. O. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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