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검색어[전방일치/ 기사저자명:Joelsson K. B.]

총 4건 중 4건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Hall factor and drift mobility for hole transport in strained Si~1~-~xGe~x alloys
기사저자명: Joelsson, K. B
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Er/O and Er/F doping during molecular beam epitaxial growth of Si layersfor efficient 1.54/� light emission
기사저자명: Ni, W.-X
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Si~1~-~yC~y/Si(001) heterostructures made by sublimation of SiC during silicon molecular beam epitaxy
기사저자명: Joelsson, K. B
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Room temperature 1.54 � light emission of erbium doped Si Schottky diodes prepared by molecular beam epitaxy
기사저자명: Du, C.-X
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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