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검색어[전방일치/ 기사저자명:Kadushkin V.I.]

총 5건 중 5건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Intersubband Relaxation of 2D Electrons in A1GaAs(Si)/GaAs Heavily Doped Heterojunction /
기사저자명: Kadushkin, V.I
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Anisotropy and Anomalies of Low-Temperature 2D-Electron Transport in δ-(Si,Sn) Doped Nanostructures Grown on i-GaAs Vicinal Plane /
기사저자명: Kadushkin, V.I
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1998
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Relaxation Mechanisms of 2D-Electrons in Selectively doped n-AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructure /
기사저자명: Kadushkin, V.I
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1996
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Relaxation Mechanisms of 2D-Electrons in Selectively Doped n-AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructure with the Filling of Two Subbands /
기사저자명: Kadushkin, V.I
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1999
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Optivization of Transport Parameters of Selectively δ-Doped GaAs/GaAlAs Heterostructures with High-Carrier-Density for Field Effect Transistors /
기사저자명: Kulbachinskii, V.A
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1995
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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