충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Khan M Asif]

총 8건 중 8건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: Enhanced luminescence in InGaN multiple quantum wells with quaternary AlInGaN barriers/
기사저자명: Zhang, Jianping
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Effect of gate leakage current on noise properties of AlGaN/GaN field effect transistors/
기사저자명: Rumyantsev, S L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Low frequency noise in GaN metal semiconductor and metal oxide semiconductor field effect transistors/
기사저자명: Rumyantsev, S L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: High-quality p-n junctions with quaternary AlInGaN/InGaN quantum wells/
기사저자명: Chitnis, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 7.5kW/mm2 current switch using AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC substrates/
기사저자명: Simin, G
출판사: Institution of Electrical Engineers]
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Ultraviolet light-emitting diodes at 340 nm using quaternary AlInGaN multiple quantum wells/
기사저자명: Adivarahan, V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Localization of carriers and polarization effects in quaternary AlInGaN multiple quantum wells/
기사저자명: Kuokstis, E
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: High electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN substrates/
기사저자명: Frayssinet, E
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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