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검색어[전방일치/ 기사저자명:Krause-Rehberg R]
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1.
기사제목
Identification and Quantification of Defects in Highly Si-Doped GaAs by Positron Annihilation and Scanning Tunneling Microscopy 미리보기
기사저자명
Gebauer, J
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Identification and Quantification of Defects in Highly Si-Doped GaAs by Positron Annihilation and Scanning Tunneling Microscopy [Phys. Rev. Lett.78, 3334 (1997)] 미리보기
기사저자명
Gebauer, J
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Study of defects in electron irradiated CuInSe~2 by positron lifetime spectroscopy 미리보기
기사저자명
Polity, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Ga vacancies in low-temperature-grown GaAs identified by slow positrons 미리보기
기사저자명
Gebauer, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Mercury vacancy equilibria in Hg~1~-~xCd~xTe 미리보기
기사저자명
Neubert, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Damage-Depth Profiling of Ion-Irradiated Polyimide Films with a Variable-Energy Positron Beam - Published online 19 October 2000/ 미리보기
기사저자명
Dlubek, G
출판사
Wiley
발행년
2000
자료유형
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7.
기사제목
Condensed Matter: Structure, etc. - Do Arsenic Interstitials Really Exist in As-Rich GaAs?/ 미리보기
기사저자명
Staab, T E M
출판사
American Physical Society
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
Ortho-Positronium Lifetime Distribution Analyzed with MELT and LT and Free Volume in Poly(epsilon-caprolactone) during Glass Transition, Melting, and Crystallization/ 미리보기
기사저자명
Dlubek, G
출판사
Wiley
발행년
2003
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9.
기사제목
Semiconductors I: Bulk - Direct identification of As vacancies in GaAs using positron annihilation calibrated by scanning tunneling microscopy (9 pages)/ 미리보기
기사저자명
Gebauer, J
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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10.
기사제목
Annealing behavior of vacancies and Z1/2 levels in electron-irradiated 4H-SiC studied by positron annihilation and deep-level transient spectroscopy/ 미리보기
기사저자명
Kawasuso, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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