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검색어[전방일치/ 기사저자명:Kringhoej P.]
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1.
기사제목
Silicon interstitials: Injection during palladium silicide formation andtrapping by ion implantation damage 미리보기
기사저자명
Kringhoej, P
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Diffusion of Sb in relaxed Si~1~-~xGe~x 미리보기
기사저자명
Larsen, A. N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Using doping superlattices to study transient-enhanced diffusion of boron in regrown silicon 미리보기
기사저자명
Jones, K. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Evolution from point to extended defects in ion implanted silicon 미리보기
기사저자명
Benton, J. L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Electronic defect levels in relaxed, epitaxial p-type Si~1~-~xGe~x layers produced by MeV proton irradiation 미리보기
기사저자명
Monakhov, E. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Isoconcentration studies of antimony diffusion in silicon 미리보기
기사저자명
Nylandsted Larsen, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Diffusion of Sb in Strained and Relaxed Si and SiGe 미리보기
기사저자명
Kringhoej, P
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Electrical inactivation in Pb-implanted InP 미리보기
기사저자명
Ridgway, M. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Substitutional gold in Si~1~-~xGe~x 미리보기
기사저자명
Nikolajsen, F
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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