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검색어[전방일치/ 기사저자명:Krispin P]

총 4건 중 4건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Single-level interface states in semiconductor structures investigated by admittance spectroscopy
기사저자명: Krispin, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Nitrogen-related electron traps in Ga(As,N) layers (<or=3% N)/
기사저자명: Krispin, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Giant resistance changes in (Al,Ga)As contact layers of GaAs/AlAs superlattices due to deep donors/
기사저자명: Rogozia, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Incorporation of nitrogen in nitride-arsenides: Origin of improved luminescence efficiency after anneal/
기사저자명: Spruytte, Sylvia G
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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