충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Lambert D J H]

총 8건 중 8건 출력

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1.

기사제목: Characteristics of Mg-Doped GaN Grown by Metallorganic Chemical Vapor Deposition
기사저자명: Eiting, C. J
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Selective regrowth of Al0.30Ga0.70N p-i-n photodiodes/
기사저자명: Collins, C J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High-voltage GaN pin vertical rectifiers with 2mm thick Hayer/
기사저자명: Zhu, T G
출판사: Institution of Electrical Engineers]
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: High-voltage mesa-structure GaN Schottky rectifiers processed by dry and wet etching/
기사저자명: Zhu, T G
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Optical properties of undoped and modulation-doped AlGaN/GaN single heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition/
기사저자명: Kwon, Ho Ki
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Observation of long photoluminescence decay times for high-quality GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition/
기사저자명: Kwon, Ho Ki
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: OPTOELECTRONICS - High-performance back-illuminated solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors/
기사저자명: Yang, B
출판사: Institution of Electrical Engineers]
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: OPTOELECTRONICS - Solar-blind AlxGa1-xN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors/
기사저자명: Li, Ting
출판사: Institution of Electrical Engineers]
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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