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검색어[전방일치/ 기사저자명:Leszczynski M.]

총 7건 중 7건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Thermal expansion of GaAs:Te and AlGaAs:Te at low temperatures
기사저자명: Leszczynski, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Influence of redistribution of electrons in the conduction band on the lattice parameters of Al~xGa~1~-~xAs
기사저자명: Bak-Misiuk, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Lattice parameters of gallium nitride
기사저자명: Leszczynski, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Lattice constants and thermal expansion of Al~xGa~1~-~xAs:Te
기사저자명: Bak-Misiuk, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Far-infrared and selective photoluminescence studies of shallow donors in GaN hetero- and homoepitaxial layers/
기사저자명: Neu, G
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Semiconductors I: Bulk - Influence of dopants and substrate material on the formation of Ga vacancies in epitaxial GaN layers (8 pages)/
기사저자명: Oila, J
출판사: Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Semiconductors I: Bulk - Different character of the donor-acceptor pair-related 3.27 eV band and blue photoluminescence in Mg-doped GaN. Hydrostatic pressure studies/
기사저자명: Teisseyre, H
출판사: Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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