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검색어[전방일치/ 기사저자명:Lucovsky G.]
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1.
기사제목
Defect metastability associated with oxygen and nitrogen impurity atoms in hydrogenated amorphous silicon films 미리보기
기사저자명
Lucovsky, G
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
American Vacuum Society leadership in electronic materials processing: Past, present, and future/ 미리보기
기사저자명
Lucovsky, G
출판사
Published for the Society by the American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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3.
기사제목
Nuclear magnetic resonance studies of amorphous deuterated silicon nitride thin films 미리보기
기사저자명
Santos-Filho, P
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Deposition of microcrystalline hydrogenated silicon,germanium alloy (�-Si~xGe~1~-~x:H) films by reactive magnetron sputtering (RMS) 미리보기
기사저자명
Cho, S. M
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Nearest-neighbor repulsion-perturbed silicon monohydride bond-stretchingvibrations in hydrogenated and deuterated silicon nitrogen alloy films 미리보기
기사저자명
Lucovsky, G
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Band offset measurements of the GaN (0001)/HfO~2 interface/ 미리보기
기사저자명
Cook, T. E
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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7.
기사제목
Band offset measurements of the Si~3N~4/GaN (0001) interface/ 미리보기
기사저자명
Cook, T. E
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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8.
기사제목
Measurement of the band offsets of SiO~2 on clean n- and p-type GaN(0001)/ 미리보기
기사저자명
Cook, T. E
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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9.
기사제목
H loss mechanism during anneal of silicon nitride: Chemical dissociation/ 미리보기
기사저자명
Boehme, Christoph
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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10.
기사제목
Physical and electrical properties of noncrystalline Al2O3 prepared by remote plasma enhanced chemical vapor deposition/ 미리보기
기사저자명
Johnson, Robert S
출판사
Published for the Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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