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[전방일치/ 기사저자명:Matsunami H.]
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자료유형
기사
(7)
저자
Kimoto, T
(2)
Fujii, T
(1)
Hatayama, T
(1)
Kimoto, Tsunenobu
(1)
Matsunami, H
(1)
Terakawa, Akira
(1)
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(1)
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출판사
American Institute of Physics
(4)
MIT Press
(1)
North-Holland
(1)
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
(1)
발행년도
1980
(4)
1997
(1)
2000
(1)
2001
(1)
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기사제목
기사저자명
출판사
발행년
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5
10
15
20
30
50
100
1.
기사제목
A Multigene Family Encoding a Diverse Array of Putative Pheromone Receptors in Mammals
기사저자명
Matsunami, H
출판사
MIT Press
발행년
1997
자료유형
저널기사
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2.
기사제목
Step bunching mechanism in chemical vapor deposition of 6H- and 4H-SiC{0001}
기사저자명
Kimoto, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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3.
기사제목
Initial stage for heteroepitaxy of 3C-SiC on the Si(001) surface in dimethylgermane source molecular beam epitaxy
기사저자명
Hatayama, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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4.
기사제목
Bonding structures in highly photoconductive a-SiC:H films deposited by hybrid-plasma chemical vapor deposition
기사저자명
Fujii, T
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
저널기사
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5.
기사제목
Formation of semi-insulating 6H-SiC layers by vanadium ion implantations
기사저자명
Kimoto, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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6.
기사제목
STRUCTURAL, MECHANICAL, THERMODYNAMIC, AND OPTICAL PROPERTIES OF CONDENSED MATTER (PACS 61-68, 78) - Chemical vapor deposition and deep level analyses of 4H-SiC(1120)/
기사저자명
Kimoto, Tsunenobu
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사
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7.
기사제목
Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Hydrogen elimination model of the formation of hydrogen bonding structures during the growth of hydrogenated amorphous silicon by plasma CVD/
기사저자명
Terakawa, Akira
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
저널기사
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1
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