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기사제목
1.2 K Shubnikov-de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in � and slab-doped In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As grown by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
McElhinney, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
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