충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Nakada A.]

총 5건 중 5건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Influence of substrate-boron concentration on the residual end-of-range defects in 450 � annealed As^+-implanted junctions
기사저자명: Nakada, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Analysis of n^+ p silicon junctions with varying substrate doping concentrations made under ultraclean processing technology
기사저자명: Aharoni, H
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Influence of fluorine in BF~2 implantation on the formation of ultrashallow and low-leakage silicon p n junctions by 450 500 � annealing
기사저자명: Nakada, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: IMMUNOBIOLOGY - Selective down-regulation of high-affinity IgE receptor (FceRI) a-chain messenger RNA among transcriptome in cord blood-derived versus adult peripheral blood-derived cultured human mast cells/
기사저자명: Iida, M
출판사: W.B. Saunders Co., etc.]
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Dependence of ion implantation: Induced defects on substrate doping/
기사저자명: Kanemoto, Kei
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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