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검색어[전방일치/ 기사저자명:Ni W.-X.]
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1.
기사제목
Residual strain in GaN epilayers grown on sapphire and (6H)SiC substrates 미리보기
기사저자명
Li, W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Si~1~-~yC~y/Si(001) heterostructures made by sublimation of SiC during silicon molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Joelsson, K. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
High-resolution x-ray analysis of InGaN/GaN superlattices grown on sapphire substrates with GaN layers 미리보기
기사저자명
Li, W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Influence of ion bombardment on Si and SiGe films during molecular beam epitaxy growth 미리보기
기사저자명
Ni, W.-X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Hall factor and drift mobility for hole transport in strained Si~1~-~xGe~x alloys 미리보기
기사저자명
Joelsson, K. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Er/O and Er/F doping during molecular beam epitaxial growth of Si layersfor efficient 1.54/� light emission 미리보기
기사저자명
Ni, W.-X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Postgrowth hydrogen treatments of nonradiative defects in low-temperature molecular beam epitaxial Si 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Nonradiative defects in Si and SiGe/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Room temperature 1.54 � light emission of erbium doped Si Schottky diodes prepared by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Du, C.-X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Identification of Grown-In Efficient Nonradiative Recombination Centers in Molecular Beam Epitaxial Silicon 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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