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검색어[전방일치/ 기사저자명:Nylandsted Larsen A.]

총 8건 중 8건 출력

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1.

기사제목: Rapid thermal annealing of arsenic-implanted Si~0~.~6Ge~0~.~4 alloys: Temperature effects
기사저자명: Tishkov, V. S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Surface morphology of silicon-tin alloys grown by molecular beam epitaxyon Si and Si~1~-~xGe~x substrates
기사저자명: Fyhn, M. F
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Electronic defect levels in relaxed, epitaxial p-type Si~1~-~xGe~x layers produced by MeV proton irradiation
기사저자명: Monakhov, E. V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: MeV ion implantation induced damage in relaxed Si~1~-~xGe~x
기사저자명: Nylandsted Larsen, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Isoconcentration studies of antimony diffusion in silicon
기사저자명: Nylandsted Larsen, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Self-organization of GeAs nanodots in relaxed Si0.5Ge0.5 alloys/
기사저자명: Gaiduk, P I
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Diffusion of Sb in Strained and Relaxed Si and SiGe
기사저자명: Kringhoej, P
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: Substitutional gold in Si~1~-~xGe~x
기사저자명: Nikolajsen, F
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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