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검색어[전방일치/ 기사저자명:Osten H. J.]

총 7건 중 7건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Charge transport in strained Si~1~-~yC~y and Si~1~-~x~-~yGe~xC~y, alloyson Si(001)
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: X-ray photoelectron spectroscopic evaluation of valence band offsets forstrained Si~1~-~xGe~x, Si~1~-~yC~y, and Si~1~-~x~-~yGe~xC~y on Si(001)
기사저자명: Kim, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Relaxed Si~1~-~xGe~x/Si~1~-~x~-~yGe~xC~y buffer structures with low threading dislocation density
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Substitutional versus interstitial carbon incorporation during pseudomorphic growth of Si~1~-~yC~y on Si(001)
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Critical points of Si1-yCy and Si1-x-yGexCy layers strained pseudomorphically on Si(001)
기사저자명: Kissinger, W
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Self-organization during Si~1~-~yCy alloy layer growth on Si(001) using homogeneous coevaporation
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Impact of low carbon concentrations on the electrical properties of highly boron doped SiGe layers
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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