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검색어[전방일치/ 기사저자명:Pelaz L.]

총 6건 중 6건 출력

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1.

기사제목: B diffusion and clustering in ion implanted Si: The role of B cluster precursors
기사저자명: Pelaz, L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Reduction of transient diffusion from 1-5 key Si^+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials
기사저자명: Agarwal, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Dose, Energy, and Ion Species Dependence of the Effective Plus Factor for Transient Enhanced Diffusion/
기사저자명: Hobler, G
출판사: Electrochemical Society
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon/
기사저자명: Aboy, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Microscopic Description of the Irradiation-Induced Amorphization in Silicon/
기사저자명: Marques, L. A
출판사: American Physical Society
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Stability of defects in crystalline silicon and their role in amorphization (9 pages)/
기사저자명: Marqu�s, Luis A
출판사: Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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