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검색어[전방일치/ 기사저자명:Ponce F. A.]

총 7건 중 7건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: Macmillan Journals ltd., etc.]
발행년: 1997
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Direct imaging of impurity-induced Raman scattering in GaN
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystalsand epitaxial layers
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Spatial distribution of the luminescence in GaN thin films
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Characterization of dislocations in GaN by transmission electron diffraction and microscopy techniques
기사저자명: Ponce, F. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: The nature of arsenic incorporation in GaN/
기사저자명: Bell, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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