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검색어[전방일치/ 기사저자명:Poyai A]
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1.
기사제목
Peripheral current analysis of silicon p-n junction and gated diodes/ 미리보기
기사저자명
Czerwinski, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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2.
기사제목
Activation energy analysis as a tool for extraction and investigation of p-n junction leakage current components/ 미리보기
기사저자명
Czerwinski, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
Electrical characterization of shallow cobalt-silicided junctions/ 미리보기
기사저자명
Garbar, N; Katcki, J; Ratajczak, J; Petrichuk, M; Claeys, C; Gaubas, E Simoen, E Poyai, A; Lukyanchikova, N; Czerwinski, A;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI Si diodes/ 미리보기
기사저자명
Claeys, C. Hayama, K.; Takakura, K.; Miura, T.; Shigaki, K.; Ohyama, H. Jono, T.; Simoen, E.; Poyai, A.;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2003
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
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