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검색어[전방일치/ 기사저자명:Privitera V.]
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1.
기사제목
Room-temperature migration and interaction of ion beam generated defectsin crystalline silicon 미리보기
기사저자명
Privitera, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Trap-Limited Migration of Si Self-Interstitials at Room Temperature 미리보기
기사저자명
Larsen, K. K
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in MeV implanted Si 미리보기
기사저자명
Coffa, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
The effect of reactive plasma etching on the transient enhanced diffusion of boron in silicon 미리보기
기사저자명
Privitera, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
An investigation on the modeling of transient enhanced diffusion of ultralow energy implanted boron in silicon/ 미리보기
기사저자명
Mannino, G
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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6.
기사제목
Electrical activation of ultralow energy As implants in Si/ 미리보기
기사저자명
Whelan, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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7.
기사제목
Photoluminescence and structural studies on extended defect evolution during high-temperature processing of ion-implanted epitaxial silicon/ 미리보기
기사저자명
Giri, P K
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
Diffusion and electrical activation of indium in silicon/ 미리보기
기사저자명
Scalese, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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9.
기사제목
Electrical activation of B in the presence of boron-interstitials clusters/ 미리보기
기사저자명
Mannino, Giovanni
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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