충남대학교외국학술지지원센터

글로벌메뉴

  • HOME
  • sitemap

주메뉴

검색

검색 타입
상세검색
검색어[전방일치/ 기사저자명:Privitera V.]
총 9건 중 9건 출력
1/1 페이지 엑셀파일 출력

검색간략리스트

열거형 테이블형
1.
기사제목
Depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in MeV implanted Si 미리보기
기사저자명
Coffa, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
2.
기사제목
Room-temperature migration and interaction of ion beam generated defectsin crystalline silicon 미리보기
기사저자명
Privitera, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
Trap-Limited Migration of Si Self-Interstitials at Room Temperature 미리보기
기사저자명
Larsen, K. K
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
The effect of reactive plasma etching on the transient enhanced diffusion of boron in silicon 미리보기
기사저자명
Privitera, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
5.
기사제목
Photoluminescence and structural studies on extended defect evolution during high-temperature processing of ion-implanted epitaxial silicon/ 미리보기
기사저자명
Giri, P K
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
An investigation on the modeling of transient enhanced diffusion of ultralow energy implanted boron in silicon/ 미리보기
기사저자명
Mannino, G
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Electrical activation of ultralow energy As implants in Si/ 미리보기
기사저자명
Whelan, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
Diffusion and electrical activation of indium in silicon/ 미리보기
기사저자명
Scalese, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
9.
기사제목
Electrical activation of B in the presence of boron-interstitials clusters/ 미리보기
기사저자명
Mannino, Giovanni
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
1 
임시보관함보기

하단메뉴