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검색어[전방일치/ 기사저자명:Razeghi M]
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1.
기사제목
Semiconductor ultraviolet detectors 미리보기
기사저자명
Razeghi, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Growth and characterization of InSbBi for long wavelength infrared photodetectors 미리보기
기사저자명
Lee, J. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Determination of the band-gap energy of Al~1~-~xIn~xN grown by metal-organic chemical-vapor deposition 미리보기
기사저자명
Kim, K. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Long-term reliability of Al-free InGaAsP/GaAs (lambda = 808 nm) lasers at high-power high-temperature operation 미리보기
기사저자명
Diaz, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Aluminum free GaInP/GaAs quantum well infrared photodetectors for long wavelength detection 미리보기
기사저자명
Jelen, C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
Growth and characterization of InAs/GaSb photoconductors for long wavelength infrared range 미리보기
기사저자명
Mohseni, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Very long wavelength infrared type-II detectors operating at 80 K/ 미리보기
기사저자명
Mohseni, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
High quality type II InAs/GaSb superlattices with cutoff wavelength ∼3.7 mum using interface engineering/ 미리보기
기사저자명
Wei, Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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