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검색어[전방일치/ 기사저자명:Ren F.]
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1.
기사제목
Generalized persistence probability in a dynamic economic index/ 미리보기
기사저자명
Ren, F
출판사
North-Holland Pub. Co
발행년
2003
자료유형
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2.
기사제목
Post growth rapid thermal annealing of GaN: The relationship between annealing temperature, GaN crystal quality, and contact-GaN interfacial structure 미리보기
기사저자명
Cole, M. W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Inductively Coupled Plasma Etch Damage in GaAs and InP Schottky Diodes 미리보기
기사저자명
Lee, J. W
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Dry etch damage in inductively coupled plasma exposed GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors 미리보기
기사저자명
Ren, F
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Extremely High Etch Rates of In-Based III-V Semiconductors in BCl~3/N~2 Based Plasma 미리보기
기사저자명
Ren, F
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Effect of BCl~3 Dry Etching on InAlN Surface Properties 미리보기
기사저자명
Ren, F
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Materials Characterization of WSi Contacts to n^+-GaN as a Function of Rapid Thermal Annealing Temperatures 미리보기
기사저자명
Cole, M. W
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Wet Chemical and Plasma Etching of Ga~2O~3(Gd2O~3) 미리보기
기사저자명
Ren, F
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Electrical effects of plasma enhanced chemical vapor deposition of SiNx on GaAs Schottky rectifiers/ 미리보기
기사저자명
Luo, B
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
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10.
기사제목
Role of annealing conditions and surface treatment on ohmic contacts to p-GaN and p-Al0.1Ga0.9N/GaN superlattices/ 미리보기
기사저자명
Zhang, A P
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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