충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Reynolds D. C.]

총 6건 중 6건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Defect Donor and Acceptor in GaN
기사저자명: Look, D. C
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Ground and excited state exciton spectra from GaN grown by molecular-beam epitaxy
기사저자명: Reynolds, D. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Effect of high-temperature annealing on electrical and optical properties of undoped semi-insulating GaAs
기사저자명: Fang, Z.-Q
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Evidence for strong spatially localized band-filling effects at interface islands
기사저자명: Ding, Y. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Emission and reflection spectra from Al~xGa~1~-~xN/GaN single heterostructures/
기사저자명: Reynolds, D. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Photoluminescence of GaN grown by molecular-beam epitaxy on a freestanding GaN template/
기사저자명: Reshchikov, M A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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