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검색어[전방일치/ 기사저자명:Rumyantsev S L]

총 7건 중 7건 출력

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1.

기사제목: Low frequency noise in two-dimensional metal-semiconductor field effect transistor
기사저자명: Levinshtein, M. E
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Low frequency noise in 4H silicon carbide
기사저자명: Levinshtein, M. E
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Low-frequency noise in 4H-silicon carbide junction field effect transistors
기사저자명: Palmour, J. W
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Low-frequency noise in cadmium-selenide thin-film transistors/
기사저자명: Deen, M Jamal
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: 1/f noise in pentacene organic thin film transistors/
기사저자명: Necliudov, P V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Low frequency noise in degenerate semiconductors/
기사저자명: Dmitriev, A P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Low frequency noise in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in non-ohmic region/
기사저자명: Rumyantsev, S. L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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