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검색어[전방일치/ 기사저자명:Schedelbeck G.]

총 4건 중 4건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure
기사저자명: Baumgartner, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Atomically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved Edge Overgrowth
기사저자명: Wegscheider, W
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Coupled Quantum Dots Fabricated by Cleaved Edge Overgrowth: From Artificial Atoms to Molecules
기사저자명: Schedelbeck, G
출판사: American Association for the Advancement of Science
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Resonant inelastic light scattering by electronic excitations in tunablequantum wire structures
기사저자명: Schedelbeck, G
출판사: North-Holland Pub. Co
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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