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검색어[전방일치/ 기사저자명:Schubert E. F.]
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1.
기사제목
Evidence of compensating centers as origin of yellow luminescence in GaN 미리보기
기사저자명
Schubert, E. F
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Optically pumped InGaN/GaN lasers with wet-etched facets/ 미리보기
기사저자명
Stocker, D A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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3.
기사제목
Competition between band gap and yellow luminescence in GaN and its relevance for optoelectronic devices 미리보기
기사저자명
Grieshaber, W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Advancing metal-oxide-semiconductor theory: Steady-state nonequilibrium conditions 미리보기
기사저자명
Passlack, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
In-vacuum cleaving and coating of semiconductor laser facets using thin silicon and a dielectric 미리보기
기사저자명
Tu, L. W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Enhancement of deep acceptor activation in semiconductors by superlattice doping 미리보기
기사저자명
Schubert, E. F
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Optical properties of Si-doped GaN 미리보기
기사저자명
Schubert, E. F
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Microcavity effects in GaN epitaxial films and in Ag/GaN/sapphire structures 미리보기
기사저자명
Billeb, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
High Extraction Efficiency of Spontaneous Emission from Slabs of Photonic Crystals 미리보기
기사저자명
Fan, S
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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