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검색어[전방일치/ 기사제목:Semiconductor Devices Materials and Processing - Effects of Ge Content on the Oxidation Behavior of Poly-Si1-xGex Layers for Gate Electrode Application/]

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기사제목: Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Effects of Ge Content on the Oxidation Behavior of Poly-Si1-xGex Layers for Gate Electrode Application/
기사저자명: Ahn, T-H
출판사: Electrochemical Society
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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