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검색어[전방일치/ 기사저자명:Semond F.]

총 6건 중 6건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Direct SiO~2/�SiC(100)3 x 2 interface formation from 25 � to 500 �
기사저자명: Semond, F
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Direct Observation of a �SiC(100)-c(4 X 2) Surface Reconstruction
기사저자명: Soukiassian, P
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Atomic Structure of the �SiC(100)-(3 x 2) Surface
기사저자명: Semond, F
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Highly Stable Si Atomic Line Formation on the �SiC(100) Surface
기사저자명: Soukiassian, P
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Growth of high quality crack-free AlGaN films on GaN templates using plastic relaxation through buried cracks/
기사저자명: Bethoux, J.-M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Selective photoluminescence spectroscopy of shallow levels in wide band gap semiconductors/
기사저자명: Neu, G
출판사: North-Holland
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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