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검색어[전방일치/ 기사저자명:Simoen E]
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1.
기사제목
Effective generation-recombination parameters in high-energy proton irradiated silicon diodes 미리보기
기사저자명
Simoen, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
High energy particle irradiation effects on the low-frequency noise of Czochralski silicon junction diodes 미리보기
기사저자명
Simoen, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Peripheral current analysis of silicon p-n junction and gated diodes/ 미리보기
기사저자명
Czerwinski, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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4.
기사제목
Activation energy analysis as a tool for extraction and investigation of p-n junction leakage current components/ 미리보기
기사저자명
Czerwinski, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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5.
기사제목
Identification of isolation-edge related random telegraph signals in submicron silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 미리보기
기사저자명
Lukyanchikova, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Diode Analysis of High-Energy Boron Implantation-Induced P-Well Defects/ 미리보기
기사저자명
Poyai, A
출판사
Electrochemical Society
발행년
2001
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7.
기사제목
Processing factors influencing the leakage current in shallow junction diodes for deep submicro-meter CMOS/ 미리보기
기사저자명
Augendre, E; Badenes, G; Grau, L Simoen, E; Claeys, C; Romano-Rodriguez, A Rooyackers, R;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
Electron valence-band tunneling-induced Lorentzian noise in deep submicron silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Lukyanchikova, N. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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9.
기사제목
Radiation damage of N-MOSFETS fabricated in a BiCMOS process/ 미리보기
기사저자명
Nakabayashi, M; Yoneoka, M; Simoen, E; Claeys, C; Ohyama, H; Takizawa, H; Kobayashi, K Hayama, K; Takami, Y; Kohiki, S
출판사
Chapman and Hall
발행년
2001
자료유형
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10.
기사제목
Deep Levels in Oxygenated n-Type High-Resistivity FZ Silicon before and after a Low-Temperature Hydrogenation Step/ 미리보기
기사저자명
Simoen, E
출판사
Electrochemical Society
발행년
2003
자료유형
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