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검색어[전방일치/ 기사저자명:Sjoelund O.]

총 4건 중 4건 출력

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1.

기사제목: Cathodoluminescence and electron beam induced current study of partiallyrelaxed AlGaAs/GaAs/InGaAs heterojunction phototransistors under operating conditions
기사저자명: Sjoelund, O
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Comparison of partially relaxed InGaAs/GaAs based high performance phototransistors
기사저자명: Ghisoni, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Cathodoluminescence study of the influence of misfit dislocations on hole accumulation in an n-AlGaAs/p-GaAs/n-InGaAs heterojunction phototransistor
기사저자명: Lin, H. T
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Influence of structural defects on carrier recombination and current gain in an InGaAs/AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor
기사저자명: Lin, H. T
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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