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검색어[전방일치/ 기사저자명:Stesmans A.]
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1.
기사제목
Revision of H~2 passivation of P~b interface defects in standard (111)Si/SiO~2 미리보기
기사저자명
Stesmans, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Passivation of P~b~0 and P~b~1 interface defects in thermal (100) Si/SiO~2 with molecular hydrogen 미리보기
기사저자명
Stesmans, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
Annealing induced degradation of thermal SiO~2: S center generation 미리보기
기사저자명
Stesmans, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Electrical conduction of buried SiO~2 layers analyzed by photon stimulated electron tunneling 미리보기
기사저자명
Afanas'ev, V. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Positive charging of thermal SiO~2/(100)Si interface by hydrogen annealing 미리보기
기사저자명
Afanas'ev, V. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
Interfacial Defects in SiO~2 Revealed by Photon Stimulated Tunneling of Electrons 미리보기
기사저자명
Afanas'ev, V. V
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
H-complexed oxygen vacancy in SiO~2: Energy level of a negatively charged state 미리보기
기사저자명
Afanas'ev, V. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
P~b-type interface defects in (100)Si/SiO~2 structures grown in ozonated water solution/ 미리보기
기사저자명
Pierreux, D
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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9.
기사제목
Hole traps in oxide layers thermally grown on SiC 미리보기
기사저자명
Afanas'ev, V. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Structural inhomogeneity and silicon enrichment of burled SiO~2 layers formed by oxygen ion implantation in silicon 미리보기
기사저자명
Afanas'Ev, V. V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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