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검색어[전방일치/ 기사저자명:Stolk P. A.]

총 6건 중 6건 출력

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1.

기사제목: Iron gettering mechanisms in silicon
기사저자명: Benton, J. L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Formation of extended defects in silicon by high energy implantation of B and P
기사저자명: Cheng, J. Y
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon
기사저자명: Stolk, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon
기사저자명: Stolk, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: The interstitial fraction of diffusivity of common dopants in Si
기사저자명: Gossmann, H.-J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Ultrafast interstitial injection during transient enhanced diffusion of boron in silicon
기사저자명: Huizing, H. G. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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