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검색어[전방일치/ 기사저자명:Takahei K.]

총 7건 중 7건 출력

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1.

기사제목: Trap level characteristics of rare-earth luminescence centers in III-V semiconductors
기사저자명: Taguchi, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Band-edge-related luminescence due to the energy backtransfer in Yb-doped InP
기사저자명: Taguchi, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Preferential alignment of Er-2O centers in GaAs:Er,O revealed by anisotropic host-excited photoluminescence
기사저자명: Hogg, R. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: 4f-shell configuration of Yb in InP studied by electron spin resonance
기사저자명: Ishiyama, T
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Atomic configurations of Er centers in GaAs:Er,O and AlGaAs:Er,O studiedby site-selective luminescence spectroscopy
기사저자명: Takahei, K
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Photoluminescence excitation spectroscopy of GaAs:Er, O in the near-band-edge region
기사저자명: Hogg, R. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Configurational transformation of an Er center in GaAs:Er,O under hydrostatic pressure
기사저자명: Hogg, R. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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