충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Tiginyanu I. M.]

총 6건 중 6건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring
기사저자명: Miao, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide
기사저자명: Tiginyanu, I. M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Correlation between morphology and cathodoluminescence in porous GaP/
기사저자명: Stevens-Kalceff, M A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Optical characterization of AlN/GaN heterostructures/
기사저자명: Ursaki, V. V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Persistent photoconductivity and optical quenching of photocurrent in GaN layers under dual excitation/
기사저자명: Ursaki, V. V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Raman spectroscopy of porous and bulk GaP subjected to MeV-ion implantation and annealing/
기사저자명: Sarua, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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