충남대학교외국학술지지원센터

글로벌메뉴

  • HOME
  • sitemap

주메뉴

검색

검색 타입
상세검색
검색어[전방일치/ 기사저자명:Vanhellemont J.]
총 9건 중 9건 출력
1/1 페이지 엑셀파일 출력

검색간략리스트

열거형 테이블형
1.
기사제목
Giant grown-in octahedral inclusions in as-grown silicon: voids versus silicon oxide precipitates 미리보기
기사저자명
Vanhellemont, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
2.
기사제목
On the impact of interface energy and vacancy concentration on morphology changes and nucleation of silicon oxide precipitates in silicon 미리보기
기사저자명
Vanhellemont, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
A simple technique for the separation of bulk and surface recombination parameters in silicon 미리보기
기사저자명
Gaubas, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Recombination activity of iron-related complexes in silicon studied by temperature dependent carrier lifetime measurements 미리보기
기사저자명
Kaniava, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
5.
기사제목
Effective generation-recombination parameters in high-energy proton irradiated silicon diodes 미리보기
기사저자명
Simoen, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
Impact of Fe and Cu Contamination on the Minority Carrier Lifetime of Silicon Substrates 미리보기
기사저자명
Rotondaro, A. L. P
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
High energy particle irradiation effects on the low-frequency noise of Czochralski silicon junction diodes 미리보기
기사저자명
Simoen, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
Internal oxidation of vacancy agglomerates in Czochralski silicon wafersduring high-temperature anneals 미리보기
기사저자명
Kissinger, G
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
9.
기사제목
Degradation of Si~1~-~xGe~x epitaxial devices by proton irradiation 미리보기
기사저자명
Ohyama, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
1 
임시보관함보기

하단메뉴