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검색어[전방일치/ 기사저자명:Xin H P]
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1.
기사제목
RAPID COMMUNICATIONS - Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Scaling of band-gap reduction in heavily nitrogen doped GaAs (4 pages)/ 미리보기
기사저자명
Zhang, Yong
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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2.
기사제목
Direct determination of electron effective mass in GaNAs/GaAs quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Hai, P N
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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3.
기사제목
Formation of nonradiative defects in molecular beam epitaxial GaNxAs1-x studied by optically detected magnetic resonance/ 미리보기
기사저자명
Thinh, N Q
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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4.
기사제목
Optical transitions in the isoelectronically doped semiconductor GAP:N: An evolution from isolated centers, pairs, and clusters to an impurity band/ 미리보기
기사저자명
Zhang, Yong
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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5.
기사제목
Discrete and continuous spectrum of nitrogen-induced bound states in heavily doped GaAs1-xNx (8 pages)/ 미리보기
기사저자명
Zhang, Yong
출판사
발행년
2001
자료유형
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6.
기사제목
BRIEF REPORTS - Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Type I band alignment in the GaNxAs1-x/GaAs quantum wells (4 pages)/ 미리보기
기사저자명
Buyanova, I A
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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7.
기사제목
BRIEF REPORTS - Semiconductors I: Bulk - Signature of an intrinsic point defect in GaNxAs1-x (4 pages)/ 미리보기
기사저자명
Thinh, N Q
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
Mechanism for rapid thermal annealing improvements in undoped GaNxAs1-x/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy/ 미리보기
기사저자명
Buyanova, I A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Formation of diluted III-V nitride thin films by N ion implantation/ 미리보기
기사저자명
Yu, K M
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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