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검색어[전방일치/ 기사저자명:Zaumseil P.]
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1.
기사제목
Novel features in the strain profile and gate oxide capacitance of through-gate-oxide implanted structures 미리보기
기사저자명
Zaumseil, P
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Diffuse x-ray scattering of misfit dislocations at Si~1~-~xGe~x/Si interfaces by triple crystal diffractometry 미리보기
기사저자명
Bhagavannarayana, G
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Substitutional versus interstitial carbon incorporation during pseudomorphic growth of Si~1~-~yC~y on Si(001) 미리보기
기사저자명
Osten, H. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Unambiguous determination of crystal-lattice strains in epitaxially grown SiGe/Si multilayers 미리보기
기사저자명
Nikulin, A. Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Self-organization during Si~1~-~yCy alloy layer growth on Si(001) using homogeneous coevaporation 미리보기
기사저자명
Osten, H. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Comparison of the thermal stability of Si~0~.~6~0~3Ge~0~.~3~9~7/Si and Si~0~.~5~9~7Ge~0~.~3~9~1C~0~.~0~1~2/Si superlattice structures 미리보기
기사저자명
Zaumseil, P
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Application of phase-retrieval x-ray diffractometry to carbon doped SiGe(C)/Si(C) superlattice structures/ 미리보기
기사저자명
Siu, K. K.-W
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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8.
기사제목
Optical constants and ellipsometric thickness determination of strained Si1-xGex:C layers on Si (100) and related heterostructures/ 미리보기
기사저자명
Zollner, Stefan
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Vorsteuerabzug ohne Rechnung? 미리보기
기사저자명
Zaumseil, Peter
출판사
O. Schmidt
발행년
2019
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