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검색어[전방일치/ 기사저자명:Zolper J. C.]
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1.
기사제목
Si and Si/P implants in In~0~.~5Ga~0~.~5P and In~0~.~5Al~0~.~5P 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Ca and O ion implantation doping of GaN 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Sputtered AIN encapsulant for high-temperature annealing of GaN 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
5.
기사제목
Ion-implanted GaN junction field effect transistor 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
Hydrogen passivation of Ca acceptors in GaN 미리보기
기사저자명
Lee, J. W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Morphology and photoluminescence improvements from high-temperature rapid thermal annealing of GaN 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
P-type ion-implantation doping of Al^0^.^7^5Ga^0^.^2^5Sb with Be, C, Mg,and Zn 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
9.
기사제목
n-type ion implantation doping of Al~xGa~1~-~xAS (0��.7) 미리보기
기사저자명
Zolper, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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1 
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