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검색어[전방일치/ 기사저자명:de Palma A.]
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1.
기사제목
Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors 미리보기
기사저자명
Godoy, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Electric Field Dependence of the Electron Capture Cross Section of Neutral Traps in SiO~2 미리보기
기사저자명
Palma, A
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Influence of the position of deep levels on generation-recombination noise 미리보기
기사저자명
Godoy, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Influence of the doping profile and deep level trap characteristics on generation-recombination noise 미리보기
기사저자명
Godoy, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Extensive ab initio study of the OH+HCN reaction: Low lying electronic states of the stationary points on the ^2A' surface 미리보기
기사저자명
Palma, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors 미리보기
기사저자명
Godoy, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
Contribution of injection in current noise due to generation and recombination of carriers in p-n junctions/ 미리보기
기사저자명
Tejada, J A Jim�nez
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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9.
기사제목
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures/ 미리보기
기사저자명
Jim�nez-Molinos, F
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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10.
기사제목
A game theoretic approach to the analysis of simple congested networks. 미리보기
기사저자명
Palma André De
출판사
American Economic Assonication
발행년
자료유형
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