충남대학교외국학술지지원센터

글로벌메뉴

  • HOME
  • sitemap

주메뉴


임시보관함

  • |Home >
  • 임시보관함

검색간략리스트

1.
저널기사
The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon / Bonafos, C / American Institute of Physics / APPLIED PHYSICS LETTERS / 365 / 1980

하단메뉴