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High quality epitaxial Si films onto gamma-Al~2O~3 (111)/Si (111) substrates using Al predeposition layers

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자료유형학술지논문
논문명High quality epitaxial Si films onto gamma-Al~2O~3 (111)/Si (111) substrates using Al predeposition layers
저자명Jung, Y.-C.
학술지명APPLIED PHYSICS LETTERS
발행년도1980
권호사항vol: 68 no: 21 ( 199
발행처American Institute of Physics
페이지3001
언어eng

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No. 권호·제본정보 보기 소장처 소장사항 청구기호 구독 최근입수호
1 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ 530.5 A652 구독중단 Vol.77 No.26
2 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 530.5 A652 구독중단 Vol.77 No.21
3 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 530.5 A652 기타

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