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Relationship of background carrier concentration and defects in GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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| 1 | 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ | 530.5 A652 | 구독중단 | Vol.77 No.26 | ||
| 2 | 중앙도서관/3층 연속간행물실/ | 530.5 A652 | 구독중단 | Vol.77 No.21 | ||
| 3 | 중앙도서관/3층 연속간행물실/ | 530.5 A652 | 기타 |
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