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Study of effect of SiH~4 gas heating during growth of hydrogenated microcrystalline silicon on SiO~2 by plasma-enhanced chemical-vapor deposition

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자료유형학술지논문
논문명Study of effect of SiH~4 gas heating during growth of hydrogenated microcrystalline silicon on SiO~2 by plasma-enhanced chemical-vapor deposition
저자명Arai, T.
학술지명JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
발행년도1980
권호사항vol: 80 no: 9 ( 1997
발행처American Institute of Physics
페이지4976
언어eng

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No. 권호·제본정보 보기 소장처 소장사항 청구기호 구독 최근입수호
1 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ 530.5 J86a
2 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 530.5 J86a 구독중단 v.112 no.12

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