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PAPERS - Silicon Devices - Chemical Reaction Concerns of Gate Metal with Gate Dielectric in Ta Gate MOS Devices: An Effect of Self-Sealing Barrier Configuration Interposed Between Ta and SiO2/
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| No. | 권호·제본정보 보기 | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 |
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| 1 | 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ | 621.3805 I22 | 구독중단 | Vol.47 No.12 | ||
| 2 | 중앙도서관/3층 연속간행물실/ | 621.3805 I22 | 구독중단 |
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