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Simulations of defect assisted tunneling and its effect on I-V characteristics in resonant tunneling diodes

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자료유형학술지논문
논문명Simulations of defect assisted tunneling and its effect on I-V characteristics in resonant tunneling diodes
저자명Lee, S.;Weichold, M.;Parker, D.;Spencer, G.
학술지명Compel
ISSN0332-1649
발행년도1993
권호사항Vol.12 no.4
발행처James Science Publishers
페이지525-530
언어eng

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