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The use of realistic bandstructure in impact ionisation calculations for wide bandgap semiconductors: application to InP and GaAs

상세정보

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자료유형	학술지논문
논문명	The use of realistic bandstructure in impact ionisation calculations for wide bandgap semiconductors: application to InP and GaAs
저자명	Wilson, S. P.;Brand, S.;Beattie, A. R.;Abram, R. A.
학술지명	Compel
ISSN	0332-1649
발행년도	1993
권호사항	Vol.12 no.4
발행처	James Science Publishers
페이지	457-474
언어	eng