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Amorphouslike chemical vapor deposited tungsten diffusion barrier for copper metallization and effects of nitrogen addition

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자료유형학술지논문
논문명Amorphouslike chemical vapor deposited tungsten diffusion barrier for copper metallization and effects of nitrogen addition
저자명Chang, K.-M.
학술지명JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
발행년도1980
권호사항vol: 82 no: 3 ( 1997
발행처American Institute of Physics
페이지1469
언어eng

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No. 권호·제본정보 보기 소장처 소장사항 청구기호 구독 최근입수호
1 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ 530.5 J86a
2 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 530.5 J86a 구독중단 v.112 no.12

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