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X-ray crystallographic study of GaN epitaxial films on Al~2O~3(0001) substrates with GaN buffer layers

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자료유형학술지논문
논문명X-ray crystallographic study of GaN epitaxial films on Al~2O~3(0001) substrates with GaN buffer layers
저자명Lee, C.-H.
학술지명APPLIED PHYSICS LETTERS
발행년도1980
권호사항vol: 68 no: 24 ( 199
발행처American Institute of Physics
페이지3440
언어eng

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1 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ 530.5 A652 구독중단 Vol.77 No.26
2 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 530.5 A652 구독중단 Vol.77 No.21
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